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本文对在Si衬底上用金属-有机的化学汽相沉积法生长的GaAs外处膜中的1.04eV发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该1.04eV发射可用由V^1-AS施主及V^1-GA受主所组成的施主-受主对的复合发光来给予很好解释。 相似文献
3.
本文通过在硅衬底上用MOCVD方法生长的砷化镓外延薄膜的变激发强度的近红外光致发光,研究了在液氮温度下峰值为1.13与1.04eV两个发光带的发光特性。 相似文献
4.
由于在GaAs和Si单晶材料间有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别,所以在St上生长的GaAs异质外延薄膜(GaAs/Si)中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示,GaAs/Si外延膜的无序与其生长条件有关,尤其与其[As]/[Ga]比密切相关。与GaAs/Si无序相关的失配位错、线位错及畴区的形貌已用扫描电子显微镜作了观察;与深能级相关的缺陷与其形貌间的关联也已用实验说明。对于高有序GaAs/Si外延膜来说,其与离域相关的主发光峰的强度对温度的变化服从阿兰纽斯方程,而对低有序的GaAs/Si外延膜来说,其与局域相关的主发光峰的强度对温度的变化关系则遵循对无定型半导体才成立的另一种方程。 相似文献
5.
梁家昌 《中国民航学院学报》1994,12(3):79-87
通过变温与变激发强度的近红外光致发光研究了用MOCVD方法、生长在GaAs衬底上的Ga0.5In0.5P(GaInP2)外延薄膜的1.17eV发射带的发光特性。1.17eV发光带性质与0.99eV及0.85eV发光带的性质有着明显的差别。1.17eV发光带的机理可用施主-受主对的复合发光来解释,其中施主-受主对系白处在Ga格位上的Si(SiGa)及其最邻近的Ga空位(VGa)所组成,记作SiGa-VGa。考虑到GaInP2中存在着很强的电子-格子耦合作用及其Ⅲ族子格子为部分有序,所以在施主-受主对复合发光中应计及Franck-Condon位移△FC及该对在等效的部分有序势场中的相互作用能Es(DAP)。X—射线衍射实验表明,部分有序结构相当于成分调制,因而可用Kronig-Penney模型来计算Es(DAP)值。这样,我们就导出了施主-受主对复合发光的新的能量表示式。 相似文献