H_3PO_4 C_6H_(11)NaO_7体系中钛合金阳极氧化着色工艺研究

作者在H3PO4 C6 H1 1 NaO7体系中对TC10、TC3、TC1、TA2阳极氧化均能得到丰富色彩。研究表明 ,钛材的成分、电压、pH值、升压方式、氧化时间等对阳极氧化膜的颜色都有一定的影响 ,电压是影响氧化膜颜色的主要因素。此外 ,稀土元素铈和双氧水的加入能提高膜层的耐蚀性。     

纯钛及其合金表面纳米多孔TiO2膜的制备研究

在含有HF酸和C rO3的电解液中,恒压直流阳极氧化法可以在TA 1和TC 4表面分别制备获得纳米多孔T iO2膜。各阳极氧化参数对于纳米多孔膜的宏观形貌、微观结构等都有着重要的影响。随着阳极氧化电压的增高,纳米多孔T iO2膜的平均孔径值和氧化膜厚度也随之增大;随着氧化时间的延长,氧化膜的厚度在一定范围内不断增厚,当达到极限值后保持不变;在较高电压下,随着氧化时间的延长,纳米多孔T iO2膜的平均孔径值明显增大;在较低电压下,随着氧化时间的延长,纳米多孔T iO2膜的平均孔径值没有明显的变化。试验表明纳米多孔T iO2膜的生长过程强烈依赖于电场支持下电解液对钛基体的溶解过程(即场致溶解过程)。     

DATA PROCESSING ON LINEARIZATION OF HOT-WIRE ANEMOMETER

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阳极氧化TiO2膜对甲基橙溶液的光催化性能研究

本试验利用阳极氧化的方法在纯钛基体上直接获得锐钛相T iO2多孔膜,解决T iO2光催化剂的涂敷固定问题。用场发射扫描电镜(F ie ld em iss ion scann ing e lectron m icroscope,FESEM)和X射线衍射仪(X-ray d iffractionm eter,XRD)对纯钛表面生成的T iO2多孔膜的形貌和晶体结构进行分析。以10m g/L甲基橙溶液为降解物进行光催化试验,分别研究了阳极氧化电压、溶液的初始pH值、T iO2膜的面积、T iO2膜的使用次数对降解率的影响。试验结果表明,当溶液初始pH值为1时,140V阳极氧化所得T iO2膜的光催化性能最好,同时随着T iO2膜使用次数的增加,但其光催化效果有所下降。     

AN INVESTIGATION OF HOT FILM SIGNALS ON LOCATING BOUNDARY LAYER TRANSITION

ＡＮＩＮＶＥＳＴＩＧＡＴＩＯＮＯＦＨＯＴＦＩＬＭＳＩＧＮＡＬＳＯＮＬＯＣＡＴＩＮＧＢＯＵＮＤＡＲＹＬＡＹＥＲＴＲＡＮＳＩＴＩＯＮＷａｎｇＴｉｅｃｈｅｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｅｒｏｄｙｎａｍｉｃｓ，ＮＵＡＡ２９ＹｕｄａｏＳｔｒｅｅｔ，Ｎａｎｊｉ...     

A NEW METHOD TO JUDGE THE ENHANCEMENT OF HEAT TRANSFER IN THE TRAILING EDGE OF TURBINE BLADES

ＡＮＥＷＭＥＴＨＯＤＴＯＪＵＤＧＥＴＨＥＥＮＨＡＮＣＥＭＥＮＴＯＦＨＥＡＴＴＲＡＮＳＦＥＲＩＮＴＨＥＴＲＡＩＬＩＮＧＥＤＧＥＯＦＴＵＲＢＩＮＥＢＬＡＤＥＳ￥ＷａｎｇＢａｏｇｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｏｗｅｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＮＵＡＡ２９...     

干涉配合构件的应力腐蚀开裂特性

采用恒载荷拉伸实验技术，研究了镀锌３０ＧｒＭｎＳｉＡ锡螺栓干涉配合连接ＬＹ１２－ＣＺ铝合金构件在３．５％ＮａＣａｌ＋０．５％Ｈ２Ｏ２溶液中的应力腐蚀开裂特性。结果表明，随干涉量的增加，应力腐蚀敏感性有所下降，基材与紧固件的电偶效应对应力腐蚀繁感性有重大影响。     

金属缝隙腐蚀时缝内电化学行为的研究

采用一种人工模拟缝隙腐蚀装置，测定了１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｎｉ、ＬＹ１２，ＴＣ３三种材料在缝隙内的阳极转扫描同线，ＰＨ值的变化，浸浸一段时间后电流￣时间的关系及电位的变化，实验结果表明，极化曲线上的ψｂ和ψｐ是两个评价缝隙腐蚀敏感性重要参数。     

高浊度原水絮凝过程的动力学和机理研究

本文选用无机低分子铝盐，铁盐：无水ＡｌＣｌ３，ＦｅＣｌ３，ＦｅｃＬ３，６Ｈ２Ｏ和无机高分子聚合氯化铝ＰＡＣ以及无机与有机高分子ＰＡＭ复配等絮凝剂处理高浊度原水，实验测定了余浊与静沉时间、水体密度与静沉时间的变化曲线；采用多次多因素多水平正交试验进行最佳水力条件选择，并结合矾花大小变化对絮凝过程力学和机理进入深入的研究，为管式絮凝器的研制提供了理论依据。     

Ca的掺入对复合氧化物LaFeO3和LaMnO3的结构及电性的影响

用柠檬酸法、固相法制备了替代的复合氧化物Ｌａ１－ｘＣａｘＦｅＯ３及Ｌａ１－ｘＣａｘＭｎＯ３。对样品进行了ＸＲＤ及导电能力测试。结果表明：Ｘ≤０．５，复合氧化物为单相的钙钛矿结构；Ｃａ的掺入，改善了ＬａＦｅＯ３导电性能，使其室温电阻率从６×１０＾４Ω·ｃｍ降低到１０Ω·ｃｍ左右；而对ＬａＭｎＯ３的影响不大，其室温电阻率在１０＾－１Ω·ｃｍ左右。