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周长江%魏红%陈朝辉 《宇航材料工艺》2001,31(1):15-18
以聚碳硅烷为先驱体,Ti粉为活性填料,研究了Ti粉对聚碳硅烷裂解反应及先驱体转化法制备的块体复相陶瓷的性能的影响,并表征了其晶相组成,结果表明,Ti粉可促进PCS的裂解反 ,增加先驱体的陶瓷产率,能降低先驱体在裂解过程中的线性收缩率和气孔率,提高陶瓷材料性能。 相似文献
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陶瓷先驱体是先驱体浸渍裂解工艺(PIP)制备陶瓷基复合材料的关键,先驱体工艺性能对复合材料制备工艺和材料性能有着决定性的影响。以一种新型液态聚碳硅烷先驱体(VHPCS)为研究对象,利用红外光谱分析差示扫描量热分析、热重分析、X-射线衍射分析等分析手段对VHPCS及其裂解产物的热稳定性进行表征。从PIP工艺角度出发,对VHPCS固化行为和裂解行为进行分析。结果表明,VHPCS中含有活性的Si-H和Si-CH=CH2基团,可在165℃开始固化反应。VHPCS在1000℃的N2气氛下的陶瓷产率为60%,其裂解产物在1000~1300℃内晶相稳定,是比较理想的陶瓷先驱体。 相似文献
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以聚碳硅烷(PCS)为陶瓷先驱体,采用PIP工艺制备3D-B Cf/SiC复合材料,研究了首周期采用不同裂解方式对基体及材料性能的影响.研究结果表明,首周期采用真空裂解或加压(5MPa)裂解,先驱体的陶瓷产率不同,加压裂解的陶瓷产率最高,达到67.2%.裂解方式对产物的晶体结构没有明显的影响;首周期采用真空裂解制得的Cf/SiC复合材料性能最优,室温弯曲强度和断裂韧性达到404MPa和20.2MPa·m1/2,分别比采用加压裂解所得材料的性能提高40.7%和42.3%. 相似文献
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利用先驱体聚合物浸渍-裂解(PIP)技术制备SiBN纤维增强氮化物陶瓷基复合材料,对SiBN纤维、聚硅硼氮烷有机先驱体裂解以及SiBN纤维增强氮化物陶瓷基复合材料性能进行了分析。研究表明:聚硅硼氮烷先驱体在氨气气氛下裂解得到的陶瓷产物碳含量较低,其裂解产物介电常数在3.0左右,介电损耗小于0.01;SiBN纤维中C和O元素含量均较高,碳的存在对材料介电性能影响明显;制备的氮化物陶瓷基复合材料弯曲强度为88.52 MPa,弹性模量为20.03 GPa。 相似文献
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刘军%宋永才%冯春祥 《宇航材料工艺》2001,31(2):33-35
采用将聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解合成制备了Si-C-O纤维先驱体聚合物,并对其进行了表征。表明反应体系中聚氯乙烯含量较高时,生成的先驱体聚合物既有聚碳硅烷的结构特征,又具有-CH=CH-共轭结构特征的-(SiCH3H-CH2)n(CH=CH)m-共聚物。先驱体聚合物经熔融纺丝及NO2不熔化处理,高温烧成制得低电阻率Si-C-O(电阻率小于10^0Ω.cm),而通过聚碳硅烷制得的SiC纤维电阻率为10^6Ω.cm。结果表明能够从聚二甲基硅烷与聚氯乙烯共裂解出发制备低电阻率Si-C-O纤维。 相似文献
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本文通过红外光谱、核磁共振和化学分析,表征出SiC纤维的先驱体——聚碳硅烷分子的结构基团及其含量,从而计算出聚碳硅烷分子的支化程度。 相似文献