| SRAM单粒子效应检测方法研究 |
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| 引用本文： | 罗 磊,张大宇,于庆奎.SRAM单粒子效应检测方法研究[J].航天器环境工程,2010,27(5):585-589. |
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| 作者姓名： | 罗 磊 张大宇 于庆奎 |
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| 作者单位： | 中国空间技术研究院,电子元器件可靠性中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 采用中国科学院近代物理研究所的回旋加速器HIRFL产生不同LET值的重离子,以模拟空间辐射环境,检测了两种国产SRAM器件抗单粒子翻转和单粒子锁定的能力。试验中采用了两套单粒子效应检测系统,结合试验检测过程和最终结果,讨论了两套检测系统各自的优缺点,总结了试验中需要注意的其他问题。本研究为今后构建其他器件的单粒子效应检测系统提供了参考。
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| 关 键 词： | 静态随机存储器 检测系统 辐射效应 单粒子效应 虚拟仪器 |
| 收稿时间： | 2010/4/13 0:00:00 |
The detection methods for SRAM single event effects |
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| Luo Lei,Zhang Dayu and Yu Qingkui.The detection methods for SRAM single event effects[J].Spacecraft Environment Engineering,2010,27(5):585-589. |
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| Authors: | Luo Lei Zhang Dayu and Yu Qingkui |
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| Affiliation: | Electronic Components Reliability Center, China Academy of Space Technology, Beijing 100029, China;Electronic Components Reliability Center, China Academy of Space Technology, Beijing 100029, China;Electronic Components Reliability Center, China Academy of Space Technology, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SRAM detection system radiation effect single event effect LabView |
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