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| 氮化镓毫米波功放技术发展 | |
| 引用本文： | 郝跃,马晓华,杨凌.氮化镓毫米波功放技术发展[J].上海航天,2021,38(3):35-45. |
| 作者姓名： | 郝跃 马晓华 杨凌 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学 宽禁带半导体国家工程研究中心，陕西 西安710071;西安电子科技大学 微电子学院，陕西 西安710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(62090014，61704124，61534007);国家重大基础研发项目(2018YFB1802100) |
| 摘 要： | 氮化镓(GaN)毫米波功放器具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势，在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景。本文综述了国内外GaN毫米波功率器件发展历史和低损耗栅结构、短沟道抑制技术、寄生电阻抑制技术等关键技术特点，综合分析了适合Ka-W波段GaN单片毫米波集成电路(MMIC)功放的架构和设计方法，提出了未来我国在高效率、高功率、高频带、多功能集成GaN毫米波芯片领域开展更深入研究的建议。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 毫米波功放器 毫米波器件 单片毫米波集成电路 |
| 收稿时间： | 2021/4/15 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2021/5/17 0:00:00 |
Review on GaN-Based mm-Wave Power Amplifier Technology |
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| HAO Yue,MA Xiaohu,YANG Ling.Review on GaN-Based mm-Wave Power Amplifier Technology[J].Aerospace Shanghai,2021,38(3):35-45. | |
| Authors: | HAO Yue MA Xiaohu YANG Ling |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaN mm-wave power amplifier (PA) mm-wave device monolithic microwave integrated circuit (MMIC) |
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