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TiA1双层辉光离子渗Cr的工艺研究
引用本文:郑传林,谢锡善,董建新,徐重,贺志勇.TiA1双层辉光离子渗Cr的工艺研究[J].宇航材料工艺,2002,32(2):51-54.
作者姓名:郑传林  谢锡善  董建新  徐重  贺志勇
作者单位:1. 北京科技大学材料学院高温合金室,北京,100083
2. 太原理工大学表面工程研究所,太原,030024
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:利用双层辉光离子渗金属技术(DGPSAT)对TiA1金属间化合物进行渗Cr处理。研究了主要工艺参数对渗层表面合金含量CA和渗层厚度δ这两个目标函数的影响。结果表明,表面合金含量CA和渗层厚度δ随源极电压Vs、有效功率密度比k的增加而增加;随阴极电压Vc的增加而减少。气压存在一个峰值,太高或太低都不利。工艺参数的最佳值;源极电压Vs为1200V~1300V,阴极电压的200V~300V,有效功率密度比k为4~5,气压为25Pa~30Pa。

关 键 词:双层辉光离子渗Cr  TiA1金属间化合物  工艺参数  金属表面热处理工艺

Processing of Double Glow Plasma Chromising on TiAl Intermetallics
Abstract:
Keywords:
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