|
|||||
|
|
| 用于PolyStrata技术的光刻工艺探索研究 | |
| 作者姓名： | 汪郁东 赵广宏 陈青松 金小锋 张姗 |
| 作者单位： | 北京遥测技术研究所 |
| 摘 要： | 在高集成的射频微机电系统RF MEMS（Radio Frequency Micro Electro Mechanical System）器件的发展趋势下，三维集成工艺的研究越来越多。基于PolyStrata技术的三维多层堆叠同轴器件以其无色散、低损耗、超宽带的优势脱颖而出，PolyStrata技术使用紫外厚胶作为牺牲材料，对光刻胶粘附性、精度、工艺兼容及释放性能要求高，常规厚胶难以满足。探索A、B两种紫外光刻厚胶，对两者工艺参数及图形质量进行对比研究。结果表明，光刻胶A厚度均匀性为98.6%，图形偏差小于10μm；光刻胶B图形偏差小于5μm，但均匀性较差，约80.4%。 |
| 关 键 词： | RF MEMS PolyStrata 紫外光刻 厚胶 |
Research on lightgraph technology for PolyStrata technology |
|
| Authors: | WANG Yudong ZHAO Guanghong CHEN Qingsong JIN Xiaofeng ZHANG Shan |
| Affiliation: | Beijing Research Institute of Telemetry |
| Abstract: | |
| Keywords: | RF MEMS PolyStrata UV lithography Thick photoresist |
| 点击此处可从《》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《》下载全文 | |
